半导体制造商Nexperia近日宣布，计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。
据悉，为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术。
其中第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。下一个里程碑将是建立200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。这些生产线将在未来两年内在汉堡工厂完成。同时，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。
安世半导体指出，这一举措充分展现了其对电气化和数字化领域关键技术的有力支持，“SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。”
值得注意的是，此项投资是安世半导体在汉堡洛克施泰特工厂百年历史中的又一个重要里程碑。据悉，自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以来，该工厂不断发展，如今为全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求提供支持。
免责声明：该文章系本站转载，旨在为读者提供更多信息资讯。所涉内容不构成投资、消费建议，仅供读者参考。
